省钱又省料！EMIB封装成本大幅更低，AI大厂集体转向备选路线

　　AI 算力芯片封装产能紧缺的行业僵局之下，第二条高端先进封装技术路线迎来实质性落地进程。有行业消息披露，谷歌已敲定长远合作规划，计划在 2028 年向英特尔下达总量超 300 万颗 TPU 芯片的封装订单;与此同时 SK 海力士也开启技术验证流程，实测英特尔EMIB封装方案适配 HBM 显存集成的可行性，意图打破台积电 CoWoS 一家独大的市场格局。

　　SK海力士本轮测试的核心诉求，是核验英特尔 EMIB 封装能否匹配 AI 加速器严苛的稳定性、性能与量产标准。长期以来，台积电 CoWoS 凭借成熟工艺坐稳高端 AI 芯片封装标杆位置，订单排期已经饱和至两年以后，产能缺口持续放大。放眼全球先进封装赛道，英特尔 EMIB 是现阶段唯一有望在 2030 年前实现大规模量产、具备替代潜力的备选技术方案，算力产业链迫切需要第二条可靠封装路线分摊产能压力。

　　台积电 CoWoS 产能分配高度集中，头部厂商垄断绝大多数产能资源。仅英伟达一家就将占据本年度 CoWoS 总需求量的 60%，博通与 AMD 合计瓜分 26% 份额，留给各类定制 ASIC 设计厂商、中小 AI 芯片企业的产能空间所剩无几。不管是规划百万级出货量的云厂商自研芯片，还是中小型 AI 设计公司，都无法持续无限等待 CoWoS 扩充产能，产业链主动推进第二条封装工艺认证导入，已经成为必然选择。

　　两种主流先进封装的底层技术架构有着本质区别，设计思路截然相反。CoWoS方案依靠整块大尺寸硅中介层承载多颗芯片，全部信号传输与供电通路都要经过中介层，封装尺寸越大，边缘区域硅材料无效损耗就越高，整体硅利用率仅维持在 60% 左右。而英特尔 EMIB 无需整片中介层，仅在两颗芯片互连的局部区域嵌入互联桥接结构，不存在大面积冗余硅片损耗，封装有效利用率能够逼近 90%，材料利用效率优势十分突出。

　　成本层面同样出现明显分化。伯恩斯坦分析师测算数据显示，单颗芯片 EMIB 封装成本仅数百美元;而同规格高性能处理器采用 CoWoS 封装，成本可达 900 至 1000 美元，不过这份成本测算缺少外部实际量产数据佐证，仅具备参考价值。但 EMIB 初代方案并非全无短板，常规版本依靠基板长线走电完成桥接供电，线路电阻偏高，尚能适配 Sapphire Rapids、Ponte Vecchio 前代算力芯片，面对 HBM4 等高功耗新一代 AI 加速器，供电瓶颈就会凸显。

　　针对供电短板迭代升级而来的 EMIB-T 技术，在桥接芯片内部新增硅通孔结构实现垂直供电，补齐了原生方案的功耗短板，现已进入产线铺线量产阶段。该技术可完整兼容 HBM3、HBM3E、HBM4 以及下一代 HBM5 全系列高速显存，封装尺寸最大可拓展至 120mm×180mm，能够搭载 38 组以上互联桥接单元，整合超过 12 颗不同规格芯片。原 Falcon Coast 加速器迭代继任产品 Jaguar Coast，大概率会成为首款规模化落地 EMIB-T 封装的算力芯片，英特尔先进封装技术正式迈入规模化商用落地周期。