过去一年来，内存条价格持续攀升，涨幅接近500%，部分产品甚至达到近10倍。这一轮涨价被普遍归因于AI算力需求爆发引发的供应失衡——三星、SK海力士和美光三大巨头将七成至八成先进制程产能转向AI专用高带宽内存（HBM），导致通用型DRAM和NAND闪存供应大幅压缩。

　　然而，近日有半导体行业匿名人士指出，内存紧缺程度被严重夸大。据其透露，2026年当前内存实际缺口仅4%-5%左右。此前市场普遍预期的2025年8%-9%短缺并未出现，主要原因在于三星和SK海力士顺利从1b工艺过渡到1c工艺，制程升级显著提升了单位晶圆的存储位密度，填补了大部分预期缺口。

　　该人士预计2027年随着美光、三星全面启动新生产设施，缺口将缩小至3%；2028年上半年仍可能面临2%-3%缺口，但下半年将实现供需平衡，价格逐步回稳。

　　彭博行业分析的预测与之相近。彭博指出，2026年第二季度是本轮周期中供应最紧张阶段，缺口约为8%；2027年第四季度供需基本平衡；2028年将出现约2%的供给过剩。彭博分析师Shuli Ren预计，内存价格将在2027年年中见顶后环比回落。

　　与此同时，三家巨头近期持续释放信号，宣称内存缺货将延续至2030年之后。但这一说法与多家机构的预测存在明显出入。值得一提的是，三星、SK海力士和美光今年6月在美国加州联邦法院遭遇反垄断集体诉讼，被指控借转型HBM之名协同压缩传统DRAM产能、人为推高价格，导致过去四年内存价格上涨约700%。

　　有分析认为，本轮内存涨价与其说是AI需求爆发导致的纯市场行为，不如说是多方博弈下人为放大的紧缺效应。真实缺口是否仅4%-5%尚无法完全证实，但AI需求确实存在、HBM消耗产能也是事实——若缺口真如某些说法高达50%，当前的AI投资热潮早已难以为继。

　　那么，你认为这是AI需求驱动的真实短缺，还是三星、SK海力士、美光三大巨头联手制造的“饥饿营销”?评论区聊聊吧。